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2019全球晶圆代工情况梳理

发布时间:2020-05-08 11:18    浏览次数 :

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来源:芯思想 作者:赵元闯

近日,武汉电子集成线路制造场二期工程举行设备搬入仪式,这预示着预示着武汉新芯二期项目从厂房建设阶段进入试生产、投产阶段。武汉新芯二期扩产项目于今年8月28日式开工建设,10月20日新建气化供配厂房、纯水站及配套设施项目。武汉新芯公司高层领导与上海宝冶、世源科技在内的管理人员共同见证了这一激动人心的时刻。

8月28日,武汉新芯二期扩产项目现场推进会在东湖高新区召开,武汉市委副书记、代市长周先旺出席会议并讲话。他强调,要加快突破重大核心技术,加快打造“国之重器”,推动“中国芯武汉造”早日成为现实。武汉新芯集成电路制造有限公司启动二期扩产项目,预计总投资17.8亿美元,该项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台。

本文不包括CIDM和VIDM项目。

武汉新芯领导在搬入仪式上致辞,武汉武汉新芯二期的设备搬入预示着武汉新芯二期项目从厂房建设阶段进入试生产、投产阶段,中国企业在填补芯片领域空白迈出了重要的一步。上海宝冶作为武汉新芯12英寸电子集成电路生产场的总承包,在武汉新芯二期改造工程中积极筹划、科学合理施工确保MOVE IN任务圆满完成。项目部全体成员必将以昂扬的斗志与实干的精神做出让业主满意,让公司放心的工程。在后续的施工过程中项目部将不懈努力,总结经验不辱使命砥砺前行。

中国工程院院士、华中科技大学校长丁烈云出席会议。武汉市领导张曙、龙良文,东湖高新区管委会主任刘子清、常务副主任陈平,市政府秘书长刘志辉与会。

一、工艺制程篇

武汉新芯成立于2006年,由湖北省、武汉市和东湖高新区投资,一期投资规模达107亿元,建设中部地区第一条12 英寸集成电路生产线,2008年建成投产。2016年,在武汉新芯基础上,紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司,武汉新芯整体并入长江存储,成为长江存储全资子公司。

武汉新芯集成电路制造有限公司成立于2006年,产品覆盖主消费类、工业物联网、汽车电子等终端市场。实施武汉新芯二期扩产项目,旨在抓住物联网和5G应用的市场机遇,把武汉新芯建设成为中国物联网芯片的领军企业。由省市区三级政府集体决策投资 107 亿,建设中部地区第一条 12 英寸集成电路生产线,2008 年建成投产。

1、中芯国际

二期扩产项目预计总投资17.8亿美元,计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。该项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台,进军物联网市场。目前,武汉新芯拥有1.2万片/月的代码型闪存和1.5万片/月的背照式影像传感器的生产能力。

目前,武汉新芯拥有 1.2 万片/月的代码型闪存和 1.5 万片/月的背照式影像传感器的生产能力,荣获“2017 年中国半导体制造十大企业”称号。2016 年,在武汉新芯基础上,紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司,武汉新芯整体并入长江存储,成为长江存储全资子公司。

2019年第一季度,12nm工艺开发进入客户导入阶段,第二代FinFET N+1研发取得突破,进度超过预期。

10月20日,武汉市招商引资暨重大项目10月集中开工主会场在武汉开发区举行,共开工项目44个,总投资615亿元,其中包括武汉新芯12英寸集成电路生产线项目二期工程新建气化供配厂房、纯水站及配套设施项目。

周先旺指出,集成电路是“国之重器”,是国家战略性、基础性和先导性产业,事关国家安全和国民经济的命脉。推进武汉新芯二期扩产项目建设,是武汉服务国家战略和勇担国家使命的重大机遇,对武汉建设具有全球影响力的产业创新中心,促进经济高质量发展具有重要意义。周先旺强调,武汉市正以国家存储器等重大产业项目为龙头,着力构建“芯—屏—端—网”的全产业链,大力发展世界级光电子信息产业集群。他表示,武汉市将竭诚为武汉新芯做好服务,全力支持企业发展壮大。

第二季度14纳米FinFET制程进入客户风险量产阶段,2019年第四季实现小批量生产。第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入。

8月28日,武汉新芯集成电路制造有限公司启动二期扩产项目,预计总投资17.8亿美元,计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。该项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台,进军物联网市场。目前,武汉新芯拥有1.2万片/月的代码型闪存和1.5万片/月的背照式影像传感器的生产能力。

据介绍,为抢抓物联网和 5G 应用为半导体领域带来的重要机遇,该项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台。

2、华虹集团

文章来源:集微网

文章来源:捷配电子市场网

2019年,华虹集团坚持先进工艺和成熟工艺并举,构建集团核心竞争力。成熟工艺方面,65/55纳米射频和BCD平台全球依靠;而在先进工艺方面,28纳米成功量产;28纳米高介电常数金属栅级工艺研发进展顺利;22纳米工艺发快速推进;14纳米工艺也取得突破,工艺全线贯通,SRAM良率达25%。

3、华润微电子

华润微电子旗下代工平台华润上华在BCD工艺平台上,经过多年的积累,已开发出全系列分段式电压的0.18µm BCD工艺平台,配置efuse、OTP、MTP,目前可提供6个电压段:7V-16V、18V-20V、24V-30V、35V-40V、40V-60V、80V-120V,并可提供BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件,以及针对不同工作电压的ESD保护方案。据悉 90nm BCD工艺已经进入研发阶段。

华润上华推出基于0.18μm EN CMOS的优化版0.153μm 5V EN CMOS工艺平台,优化后的工艺成本得到了大大的缩减,以MCU应用看,相较公司的0.18μm工艺节省成本约30%;以音频功放应用看,华润上华的0.153μm 5V EN CMOS工艺的成本已优于同行水平。

另外,华润上华的0.11μm ULL e-flash Logic工艺达到业界水平。

4、台积电

4月份推出6纳米(N6)制程技术,预计将在2020年实现量产,推出6纳米制程主要是为强化7纳米技术,提升效能/成本优势且加速产品上市时间。

7纳米工艺+EUV于2019年第3季量产。

12月,5纳米制程方面完成试产,工艺的良率达到35%-40%,意味着5nm工艺良率爬坡很顺利,2020年7月份正式进入大规模量产阶段。

5、联电

联电在2019年推出28纳米的微缩版22纳米CMOS工艺,相较联电的28纳米工艺上可减少约10~15%的面积。

联电位于厦门的子公司联芯推出适用于AMOLED屏幕驱动的28纳米eHV和40纳米eHV工艺,以及适用于银行卡/ETC卡的55纳米工艺。

6、三星

2019年4月份开始进行大规模生产7nm LPP EUV工艺;随后推出6LPP、5LPE芯片,目前已经完成试制,2020年上半年大规模生产。

7LPP工艺终极版4LPE工艺2019年第四季度完成开发,在2020年完成首批芯片制造,大规模生产应该会在2021年。

二、产能扩张篇

1、中芯国际

1.1中芯南方

2019年中芯南方集成电路制造有限公司12英寸14纳米生产线正式投产,标志着中国大陆集成电路生产工艺向前推进一步,顺利完成《推进纲要》的目标。。

2019年第一季度,中芯南方FinFET工厂首台光刻机搬入,开始产能布建,已经具备月产能3500片规模。

2、华虹集团

2.1华虹无锡